El chip Snapdragon 835 (MSM8998) muestra su potencial en el benchmarking Geekbench

Snapdragon 835

Este año ha sido el de la jugarreta de Samsung y Qualcomm con el chip Snapdragon 835, ya que han obligado a los fabricantes a retrasar sus lanzamientos al no estar listos los suficientes chips para que estén implementados en los diversos gama alta de las distintas marcas. Samsung tendrá el primer lugar en parrilla para el Snapdragon 835, mientras que el resto saldrán unos segundos después, para que incluso LG haya pasado de esa carrera y se quede en el 820 o 821.

Del Snapdragon 835 ya conocimos todos sus detalles, pero nos han faltado diversos benchmarkings para realmente conocer cómo se las trae cuando está integrado en un gama alta Android. Ahora mismo han sido publicados los resultados del Snapdragon 835 (MSM8998) al pasar por la base de datos de Geekbench y muestra una mejora si se compara con los compartidos al final de año desde la web de Qualcomm. Según ese listado nuevo, el inminente chip de alta gama de Qualcomm puntúa con unos impresionantes 2.004 puntos en la prueba de un único core, mientras la del multi-core llega a los 6223.

Aunque lo interesante es que el nombre del dispositivo de prueba no está disponible, aunque por el listado, indica que tiene 4GB de RAM y funciona con Android 7.1.1 Nougat. El Snapdragon 835 será el próximo chip de alto perfil de Qualcomm y se espera que esté incluido en el Galaxy S8, Xiaomi Mi 6 y más.

Snapdragon 835

La nueva puntuación publicada muestra una significativa mejora sobre los resultados anteriores en los que se reportó 1.844 puntos para el test de un único core y 5.426 para el de multi-core. Esos tests fueron publicados ya en el mes de diciembre y el smartphone de prueba era el «Essential FIH-PM1». Así que posiblemente Qualcomm ha estado probando el chip en las semanas pasadas para optimizar el potencial sobre los conseguidos por el Snapdragon 821.

El Kirin 960 de Huawei consiguió 1.949 en la prueba de un único núcleo y 6.439 puntos en la de multi-core. Ahí andan.


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